Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP04N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP04N80C3
SPP04N80C3XKSA1 Hakkında
SPP04N80C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 4A sürekli dren akımı ve 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. 31nC gate charge ve 570pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 63W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamaları, AC/DC adaptörler, SMPS (switched-mode power supplies), motor sürücüleri ve güç elektronikleri projelerinde kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulama yelpazesi sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok