Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP04N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP04N80C3
SPP04N80C3XK Hakkında
SPP04N80C3XK, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli drain akımı (Id @ 25°C) ve maksimum 63W güç tüketim kapasitesi ile orta güç seviyesi devrelerde çalışabilir. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, 1.3Ω maksimum on-direnci (Rds On) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş sıcaklık koşullarında kullanımı mümkün kılar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, koruma sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok