Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP04N60S5BKSA1

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP04N60S5

SPP04N60S5BKSA1 Hakkında

SPP04N60S5BKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V gate drive voltajında 950mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. 22.9nC gate charge ve 580pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon performansı sağlar. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok