Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP03N60S5HKSA1

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP03N60S5

SPP03N60S5HKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SPP03N60S5HKSA1, 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli drain akımı ve 1.4Ω maksimum Rds(on) değeri ile güç yönetimi devrelerinde etkin rol oynar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 16nC gate charge ve 420pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün durumu itibariyle eski nesil (Obsolete) olup yerine yeni seriler önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 135µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok