Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP03N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP03N60C3
SPP03N60C3HKSA1 Hakkında
SPP03N60C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 650V dren-kaynak gerilim sınırlaması ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve boost konvertörlerde kullanılır. 10V gate sürülme gerilimiyle çalışan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 38W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Gate yükü 17nC ve 400pF giriş kapasitansı değerleriyle hızlı komütasyon işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok