Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP02N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP02N80C3
SPP02N80C3XKSA1 Hakkında
SPP02N80C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.7Ω maksimum RDS(on) direnci ve düşük gate charge karakteristiği ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve yüksek voltajlı elektronik sistemlerde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir ve mühendislik projeleri için arşiv referansı olarak faydalı olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok