Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPN04N60S5
MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPN04N60S5
SPN04N60S5 Hakkında
SPN04N60S5, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 800mA sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 (TO-261AA) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 950mΩ maksimum RdsOn değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.8W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 17nC gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok