Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPN02N60S5
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPN02N60S5
SPN02N60S5 Hakkında
SPN02N60S5, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 400mA sürekli dren akımı ile çalışır. SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate sürüş voltajında 3Ω maksimum RDS(on) değeri, düşük ön kapasitans (250pF) ve 7.4nC gate charge özellikleri ile AC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve anahtarlı güç kaynağı tasarımlarında uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1.8W maksimum güç saçımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok