Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPN02N60C3 E6433
MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPN02N60C3
SPN02N60C3 E6433 Hakkında
SPN02N60C3 E6433, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 400mA sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 (TO-261AA) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 2.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (13nC) ve kontrollü kapasitanssı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok