Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPN02N60C3
MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPN02N60C3
SPN02N60C3 Hakkında
SPN02N60C3, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400mA sürekli dren akımı ve 2.5Ω (10V, 1.1A'de) maksimum on-resistance değeri ile karakterize edilir. Gate charge 13nC (10V'de) ve input capacitance 200pF (25V'de) olan cihaz, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil çalışır. 1.8W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan SPN02N60C3, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve yüksek voltaj kontrol sistemlerinde kullanılan bir komponendir. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 3.9V (80µA'de) threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü işletim sağlar. (Harita Bilgisi: Artık üretilmiyor)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok