Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPN01N60C3
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPN01N60C3
SPN01N60C3 Hakkında
SPN01N60C3, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT223-4 (TO-261AA) paket tipi ile surface mount montajına uygundur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 5nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Anahtar kontrol devrelerine, güç yönetimi uygulamalarına ve DC-DC dönüştürücülere uygun bir bileşendir. Maksimum 1.8W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok