Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI80N10L
SPI80N10L Hakkında
SPI80N10L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve ağır yük uygulamalarında tercih edilir. 14mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 250W'a kadar güç harcayabilir. Bileşen Obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok