Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI80N06S2-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI80N06S2
SPI80N06S2-08 Hakkında
SPI80N06S2-08, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 10V drive voltajında optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok