Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPI80N04S2-04

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
SPI80N04S2

SPI80N04S2-04 Hakkında

SPI80N04S2-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 3.7mΩ maksimum on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Gate charge değeri 170nC olup, hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Maksimum 300W güç yayınlayabilme kapasitesi ile yüksek verimli güç elektronikleri tasarımlarında yer almaktadır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6980 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok