Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI80N03S2L-06
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI80N03S2L
SPI80N03S2L-06 Hakkında
SPI80N03S2L-06, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 80A sürekli dren akımı sağlama kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paket türüyle through-hole montajı destekler. 10V gate geriliminde 6.2mOhm düşük RDS(on) değeri ile etkin güç iletimini gerçekleştirir. 150W maksimum güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. 68nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok