Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI21N10
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI21N10
SPI21N10 Hakkında
SPI21N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 21A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 10V kapı sürüş voltajında 80mΩ maksimum RDS(on) direncine sahiptir. 38.4nC gate charge ve 865pF input capacitance özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 90W maksimum güç yayılımına sahiptir. Through-hole montaj tipinde sunulan bu MOSFET, eski tasarımlar ve legacy uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 44µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok