Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI16N50C3
SPI16N50C3HKSA1 Hakkında
SPI16N50C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET'tir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, 16A sürekli dren akımı ve 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. ±20V Gate gerilim toleransı ve -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç MOSFET'leri olarak, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 160W güç atışı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok