Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI15N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI15N65C3
SPI15N65C3XKSA1 Hakkında
SPI15N65C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj dayanımı ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında yer alır. 280mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük kayıp özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Ürün durumu obsolete olduğundan, yeni tasarımlarda alternatif parça seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 9.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok