Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI15N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI15N60CFD
SPI15N60CFDHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI15N60CFDHKSA1, 650V drain-source gerilim ile çalışan bir N-Channel MOSFET'tir. 13.4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 330mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı ve enerji verimliliğinin önemli olduğu endüstriyel güç elektronikleri, şarj denetleyicileri, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 9.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok