Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI12N50C3
SPI12N50C3XKSA1 Hakkında
SPI12N50C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source voltajı ve 11.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 380mΩ maksimum Rds(on) değeri ile iyi iletkenlik sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve invertör tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilir. 125W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok