Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI11N65C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI11N65C3
SPI11N65C3XKSA1 Hakkında
SPI11N65C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 125W maksimum güç tüketimine sahip olup, 10V kapı geriliminde 380mOhm açık devré direnci ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Gate charge 60nC olup hızlı komütasyon özelliği vardır. Güç kaynakları, motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yük anahtarlamalarında kullanılan legacy teknoloji MOSFET'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok