Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI11N60S5BKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI11N60S5
SPI11N60S5BKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI11N60S5BKSA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 380mΩ on-state direnci ile güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme, AC-DC güç kaynakları, motor kontrol ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 125W güç tüketebilir. 54nC gate yükü ve düşük input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar. Üretim durumu: Discontinued (Piyasadan kaldırılmış).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok