Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI11N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI11N60CFD
SPI11N60CFDHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI11N60CFDHKSA1, 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları (SMPS), motor kontrolü ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortam koşullarında uygulanabilirliğini arttırır. Maksimum 440mOhm on-state direnci ile verimliliğe katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok