Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI10N10L
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI10N10L
SPI10N10L Hakkında
SPI10N10L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 10.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç anahtarlaması ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, düşük on-state direnç (154mΩ @ 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen SPI10N10L, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde uygulanır. 50W güç dağıtma kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 444 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 8.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok