Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI10N
SPI10N10 Hakkında
SPI10N10, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 10.3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 170mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 50W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 426 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok