Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI100N03S2-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI100N03S2
SPI100N03S2-03 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI100N03S2-03, 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımına sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.3 mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 300W maksimum güç yayılımı ile endüstriyel ve elektrik gücü uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 10V gate sürü gerilimine kadar optimize edilmiş bu transistör, hızlı anahtarlama ve düşük kayıpla çalışan uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok