Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI08N80C3
SPI08N80C3XKSA1 Hakkında
SPI08N80C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri, enerji yönetimi devreleri ve anahtarlamali güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 104W maksimum güç tüketimi, zorlu çevre koşullarındaki uygulamalara uygunluk sağlar. 60nC maksimum gate charge değeri, hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok