Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI08N80C3
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI08N80C3
SPI08N80C3 Hakkında
SPI08N80C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 60nC gate charge özellikleri ile elektrik enerjisinin verimli bir şekilde yönetilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 104W güç harcaması kapasitesi ile güç elektroniği tasarımlarında yer alabilir. 3.9V threshold gerilimi hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok