Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI08N50C3
SPI08N50C3XKSA1 Hakkında
SPI08N50C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor kontrol üniteleri ve offline SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak yer alır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 32nC gate charge karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığına sahip olan SPI08N50C3XKSA1, 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi sunar. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok