Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI08N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI08N50C3
SPI08N50C3HKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI08N50C3HKSA1, 500V dayanıklılığa sahip N-Channel MOSFET transistördür. 7.6A sürekli drain akımı ve 600mOhm (10V, 4.6A) on-resistance özelliği ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel power supply, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 83W güç saçabilme kapasitesine sahip olan transistör, 32nC gate charge ile hızlı anahtarlama sağlar. Düşük gate threshold voltajı (3.9V @ 350µA) ile kolaylıkla kontrol edilebilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok