Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI07N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI07N65C3
SPI07N65C3HKSA1 Hakkında
SPI07N65C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketine sahip bu bileşen, 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 3.9V (350µA'da) olup ±20V maksimum gate gerilimi ile uyumludur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 83W güç tüketimiyle tasarlanmıştır. (Ürün durumu: Kullanımdan kaldırılmış)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok