Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI07N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI07N60S5
SPI07N60S5HKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPI07N60S5HKSA1, 600V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel inverter devrelerde kullanılır. 83W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ağır yüklü uygulamalar için uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok