Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI07N60C3
SPI07N60C3XKSA1 Hakkında
SPI07N60C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama düzenekleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. 10V drive voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kapalı-devre direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 83W güç dağıtım kapasitesi sayesinde ağır yüklü anahtarlama işlemlerinde güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok