Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPI07N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPI07N60C3
SPI07N60C3HKSA1 Hakkında
SPI07N60C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Kanal MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 600mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük kayıp işletim sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor denetleyicileri, LED sürücüleri ve ind ustriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yerini alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 27nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok