Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD50N03S207
SPD50N03S207GBTMA1 Hakkında
SPD50N03S207GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 7.3mΩ on-direnç değeri ile yüksek verimlilikte anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile surface mount uygulamalarına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem sağlar. Motor kontrol, güç kaynağı tasarımları, load switching ve inverter devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok