Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD35N10
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD35N10
SPD35N10 Hakkında
SPD35N10, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 100V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 44mΩ maksimum on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 65nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansını sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 26.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok