Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06PGBTMA1 Hakkında
SPD30P06PGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 75mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10V kapı sürüş geriliminde çalışmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paket tipi kullanılarak yüzey montajına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığı uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motorlu uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 125W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1535 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 21.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok