Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPD30N06S2L-23

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SPD30N06S2L

SPD30N06S2L-23 Hakkında

SPD30N06S2L-23, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 23mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük elektrik kaybı sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Kompakt surface mount tasarımı, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalara uygun olarak tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok