Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD30N03S2L20GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD30N03S2L20
SPD30N03S2L20GBTMA1 Hakkında
SPD30N03S2L20GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (20mΩ @ 18A, 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile Surface Mount uygulamalar için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 60W maksimum güç taşıma kapasitesi ile motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 19nC gate charge ve 700pF input capacitance ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok