Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD30N03S2L07GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07GBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPD30N03S2L07GBTMA1, 30V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6.7mΩ düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Gate charge değeri 68nC ile hızlı anahtarlamaya izin verir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım modülleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek sıcaklık uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok