Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD30N03S2L-10
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD30N03S2L
SPD30N03S2L-10 Hakkında
SPD30N03S2L-10, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile yüksek yoğunluklu devre tasarımlarına uyum gösterir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 100W güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok