Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD18P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD18P06P
SPD18P06PGBTMA1 Hakkında
SPD18P06PGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 18.6A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, invertör tasarımları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 130mOhm maksimum on-direnci (10V kapıda 13.2A'da) ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok