Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD15P10PLGBTMA1
SPD15P10PLGBTMA1 Hakkında
SPD15P10PLGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 15A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 200mOhm maksimum RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC konverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 62nC gate charge ve 1490pF input kapasitans karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.54mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok