Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD15P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD15P10PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1 Hakkında
SPD15P10PGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 240mOhm on-state direnci ile düşük güç tüketimi sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve load switching işlemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. 128W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 10.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1.54mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok