Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD11N10
SPD11N10 Hakkında
SPD11N10, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 10.5A sürekli drain akımı ile çalışabilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve PWM uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 170mΩ maksimum on-state direnci, düşük güç tüketimi sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate kapasitesi 400pF ve gate yükü 18.3nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlarda tercih edilir. 50W maksimum güç yayılımı kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok