Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD100N03S2L04T
MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD100N03S2L04T
SPD100N03S2L04T Hakkında
SPD100N03S2L04T, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-5 (DPak) paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. Gate şarjı 89.7nC @ 10V olan bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, sürücü devreleri ve düşük voltaj güç dönüşüm sistemlerinde kullanılır. 150W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile kompakt ve verimli tasarımlar gerçekleştirilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok