Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD100N03S2L-04
MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD100N03S2L
SPD100N03S2L-04 Hakkında
SPD100N03S2L-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 100A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252-5 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (4.2mΩ @ 50A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W güç tüketebilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı yük uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 89.7nC olup, hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok