Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD09P06PLGBTMA1
SPD09P06PLGBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1, 60V drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 9.7A sürekli drain akımı ve 250mOhm on-direnci (@10V Vgs) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve yük anahtarlama gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 42W güç dağıtım kapasitesi ile etkili bir kontrol elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok