Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPD08P06PGB
SPD08P06PGBTMA1 Hakkında
SPD08P06PGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 8.83A sürekli akım yeteneğine sahiptir. Rds(on) değeri 300mOhm @ 10A/6.2V'dir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 42W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 13nC gate charge değerine sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı ile çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.83A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.2V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 6.2V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok