Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPD08P06P

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SPD08P06P

SPD08P06P Hakkında

SPD08P06P, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ve 8.83A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 300mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (13nC) ve kontrol edilebilir giriş kapasitansı (420pF) özellikleriyle güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Maksimum 42W güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Bu komponent artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.83A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok